Silisyòm Wafer Estrikti

Silisyòm Wafer Estrikti

Semi-conducteurs -estrikti wafer Silisyòm klas nou yo achitekti nan nivo atomik pou fasilite fabwikasyon trè kontwole atravè tout50mm a 300mm (2-12 pous)dyamèt spectre. Lè w itilize avanseCzochralski (CZ) ak Zòn Flote (FZ)metodoloji rale kristal, nou asire yon lasi pwòp, -san defo ki sèvi kòm yon gwo-lame entegrite pou kwasans epitaksyal ak gwo-enplantasyon iyon dòz.

Avantaj debaz diferansye:

Lasi-Nivo Omojèn:Kontrèman ak materyèl ibrid-klas yo, wafers nou yo genyen ultra-pwopriyete entèn inifòm-espesyalman kontwole oksijèn entèrstisyèl ak kontni kabòn. Sa a anpeche presipitasyon tèmik pandan temèt segondè-rekwit vakyòm, asire pwofil elektrik previzib pouPouvwa ICs (IGBT/MOSFET) ak modil RF.

Rezilyans tèmomekanik:Entegrite estriktirèl optimize a asire ke chak wafer konpòte yo toujou pandan sik pwosesis ekstrèm, soti nan gwo -difizyon tanperati rive nan tounen mekanik -broyage. Estabilite sa a enpòtan anpil pou kenbesub-mikròn Varyasyon epesè total (TTV)ak anpeche rupture wafer nan liy fondri otomatik 300mm.

Sede-Precision Kondwi:Chak substra fèt pou satisfè ak depase atant endistriyèl sevè pou sit-specif flatness (SFQR). Precision sa a sipòte yon pwofondè elaji-de-konsantre (DOF) nan fotolitografi avanse, ki asosye dirèkteman ak yon rediksyon enpòtan nan derive pwosesis ak yon ogmantasyon nan fyab final aparèy la.

Baj popilè: Silisyòm wafer estrikti, Lachin Silisyòm wafer estrikti manifaktirè, Swèd, faktori