Silisyòm wafer kò

Silisyòm wafer kò

Semi-conducteurs -klas Silisyòm wafer kò nou yo achitekti pou kenbe eksepsyonèlestabilite tèmomekanikpandan sekans fabrikasyon ki pi solid yo. Kouvri tout spectre endistriyèl la soti nan2-pous (50mm) a 12-pous (300mm), Substra sa yo fonksyone kòm yon platfòm segondè-fidelite pou achitekti aparèy milti-kouch, asire ke chak mikron nan materyèl kontribye nan pèfòmans final chip ou a.

Avantaj teknik diferansye:

Karakteristik lasi balanse:Enjenieri pou presizyon fabrikasyon siperyè, wafers nou yo karakteristik optimizeOksijèn entèrstisyèl (Oi) ak kontni kabòn. Balans entèn sa a anpeche presipitasyon tèmik ak glise lasi pandan gwo -difizyon tanperati ak rapid tèmik annealing (RTA), diminye anpil varyasyon pwosesis.

Pèfòmans jaden serye:Ki fèt pou fè toujou nan kondisyon estanda ak avanse chanm pwòp, materyèl nou an asire pwofil elektrik ki repete -tankou rezistans egzak ak mobilite transpòtè-nan chak pakèt.

Jeyometrik Precision pou Sede:Chak kò wafer verifye pousub-mikron Varyasyon epesè total (TTV) ak Warp, minimize derive konsantre nan fotolitografi avanse. Entegrite estriktirèl sa a enpòtan anpil pou reyalize gwo -sede pwodiksyon anPouvwa ICs (IGBT/MOSFET), RF Microelectronics, ak MEMSfabwikasyon.

Baj popilè: Silisyòm wafer kò, Lachin Silisyòm wafer kò manifaktirè, Swèd, faktori