Silisyòm Wafer Nwayo

Silisyòm Wafer Nwayo

Solisyon wafer Silisyòm nou yo achitekti soti nan nivo atomik, itilize avanseCzochralski (CZ)epiZòn Flote (FZ)metodoloji kwasans kristal pou asire yon estrikti lasi ultra-pi, defo-. Sipòte spectre endistriyèl konplè a soti nan2-pous (50mm) a 12-pous (300mm), substrats sa yo sèvi kòm yon gwo -lame entegrite pou kwasans epitaksi konplèks ak gwo-enplantasyon iyon dòz.

Nou kenbe yon papòt agresif pou oksijèn entèrstisyèl ak kontni kabòn, sa ki enpòtan pou asire estabilite tèmik ak anpeche presipitasyon pandan sik ki pi temèt segondè-recuit vakyòm yo. Pa optimizeplan global ak sit-espesifik (TTV & SFQR), wafers nou yo fasilite yon pwofondè elaji-de-konsantre (DOF) nan fotolitografi sub-mikwon avanse, ki asosye dirèkteman ak yon ogmantasyon enpòtan nan pwodiksyon final aparèy ou an.

Baj popilè: Silisyòm wafer nwayo, Lachin Silisyòm wafer nwayo manifaktirè, Swèd, faktori