Silisyòm Processing Wafer

Silisyòm Processing Wafer

Sa a seri wafer pwosesis Silisyòm se metikuleufèt pou etap fabrikasyon konplèks, k ap fonksyone kòm yon lame fleksib pou sekans devan-fin--liy (FEOL) ki pi egzijan yo. Sipòte spectre endistriyèl konplè a soti nan2-pous (50mm) a 12-pous (300mm), substrats sa yo achitekti pou kenbe estabilite absoli lasi ak sifas plat atravè sik iteratif nan dekale aparèy modèn.

Rezilyans tèmik siperyè:Se wafer la Enjenierikenbe entegrite pandan pwosesis -tanperati wo, tankou pwofon -byen difizyon ak rapid tèmik annealing (RTA). Lè yo optimize konsantrasyon oksijèn entèrstisyèl la epi mete ann aplikasyon pwotokòl soulajman estrès tèmik avanse-, substrate la anpeche glise lasi ak mikwo-deformation, asire siviv karakteristik sub-mikwon anba bidjè tèmik entansif.

Pèfòmans ki baze sou rannman: Karakteristik inifòmnan rezistivite radial ak mòfoloji sifas siyifikativmanamelyore pousantaj sedepa bay yon repons previzib nan enplantasyon iyon ak depozisyon fim mens-. Omojèn sa a asire ke paramèt elektrik yo rete konsistan atravè tout sifas wafer la, minimize ensidan an nan "kwen-de-wafer" degradasyon pèfòmans nan gwo-dansite.Pouvwa IC ak Analogaparèy.

Sipò pou modèl presizyon:Lawafer sipòte presizyon grave ak litografipa ofri yon sub-mikròn Varyasyon Total Epesè (TTV) ak siperyè plat lokal. Fidelite jeyometrik sa a fasilite yon pwofondè ki estab-de-konsantre (DOF) pou eskanè gwo-rezolisyon, sa ki pèmèt fòmasyon konsistan nan estrikti pòtay konplèks ak gwo -aspè- vias. Konfòme ak estanda SEMI strik, lisatisfè demand yo nan liy modèn semi-conducteurspou manyen otomatik ak gwo -debi volim.

Baj popilè: Silisyòm pwosesis wafer, Lachin Silisyòm pwosesis wafer manifaktirè, Swèd, faktori