Silisyòm fabrikasyon substrate

Silisyòm fabrikasyon substrate

Seri substrate manifakti Silisyòm sa a minutieusement conçu pou bayfò konpatibilite pwosesisatravè anviwònman ki pi egzijan pou gwo -fabrikasyon volim (HVM) yo. Sipòte spectre endistriyèl konplè a soti nan2-pous (50mm) a 12-pous (300mm), Substra sa yo achitekti ak kwasans kristal avanse ak teknoloji pwofil kwen-pou sèvi kòm yon fondasyon segondè-fidelite pou echèl aparèy konplèks ak entegrasyon milti-kouch.

Enjenyè pou Flux travay-wo presizyon:Chak substra gouvène pa tolerans rijid pou Varyasyon epesè total (TTV), chèn, ak banza, kisipòte workflows fabwikasyon ki gen gwo-presizyontankou fotolitografi avanse ak planarizasyon mekanik -chimik (CMP). Fidelite jeyometrik sa a asire ke kouch kritik yo kenbe presizyon aliyman absoli, diminye distòsyon modèl nan gwo -dansite.Pouvwa IC ak Analogachitekti.

Minimize Manyen Attrition: Pwopriyete mekanik ki estab-ki gen ladan modil Young optimize ak rezistans ka zo kase-siyifikativmandiminye pèt manyenpandan transfè robo gwo-vitès. Lè yo aplike mòfoloji sifas siperyè ak kontwòl entegrite kwen-, substra a anpeche mikwo-fant ak patikil, asire ke materyèl la rete estrès-net atravè sekans repete vakyòm-chucking ak tèmik-.

Optimize pou pwodiksyon an mas:Substra afè yon bòn nan pwodiksyon an mas, bay pakèt-a-repwodiksyon pakèt ki nesesè pou estabilize rannman nivo wafer-(WLY). Konfòme estrikteman ak estanda entènasyonal SEMI pou dimansyon antay ak plat, li sedepreferans apwopriye pou sistèm fabrikasyon otomatik yo, fasilite yon pi ba pri total de de an komen (TCO) ak pi vit debi pou chèn ekipman pou semiconductor mondyal yo.

Baj popilè: Silisyòm manifakti substrate, Lachin Silisyòm manifakti substrate manifaktirè, Swèd, faktori