Wonn Silisyòm Wafer
Wafers Silisyòm Round nou yo se wafers ki fèt ak presizyon ak yon fòm sikilè, lajman ki itilize nan endistri semi-conducteurs pou plizyè aplikasyon, ki gen ladan mikwo-elektwonik, detèktè, ak aparèy fotonik. Wafers sa yo disponib nan yon seri dyamèt ak espesifikasyon pou satisfè bezwen pwosesis manifakti avanse.
- Livrezon rapid
- Kalite asirans
- Sèvis Kliyan 24/7
Pwodwi Entwodiksyon
Apèsi sou pwodwi a
Wafers Silisyòm Round nou yo se wafers ki fèt ak presizyon ak yon fòm sikilè, lajman ki itilize nan endistri semi-conducteurs pou plizyè aplikasyon, ki gen ladan mikwo-elektwonik, detèktè, ak aparèy fotonik. Wafers sa yo disponib nan yon seri dyamèt ak espesifikasyon pou satisfè bezwen pwosesis manifakti avanse.
Karakteristik kle
|
Dyamèt ki disponib |
2 pous, 4 pous, 6 pous, 8 pous, 12 pous |
|
Crystal Oryantasyon |
<100>, <111>, <110>(oryantasyon koutim ki disponib) |
|
Kalite Klas |
Premye / Tès / Enbesil |
|
Metòd kwasans |
CZ (Czochralski) / FZ (Zòn Flote) |
|
Kalite dopant |
P-tip (Boron), N-tip (Fosfò, Asenik, Antimwàn), oswa san dopaj |
|
Opsyon epesè |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, ak epesè koutim ki disponib |
|
Fini andigman |
P/E (poli/grave), P/P (poli/poli) |
|
Varyasyon epesè total (TTV) |
Creole < 10 μm; Avanse < 5 μm |
|
Banza/Deformation |
Creole < 40 μm; Avanse < 20 μm |
Baj popilè: wonn Silisyòm wafer, Lachin wonn Silisyòm wafer manifaktirè, Swèd, faktori
