511 Silisyòm Wafers
Nou<511>Silisyòm Wafers yo fèt pou aplikasyon espesyalize semi-conducteurs ki mande pwopriyete inik nan<511>oryantasyon kristal. Oryantasyon sa a ofri avantaj diferan nan aplikasyon espesifik elektwonik ak optik, bay pèfòmans amelyore ak presizyon. Nou ofri yon seri konplè opsyon personnalisation pou asire ke wafers nou yo satisfè espesifikasyon egzak ki nesesè pou pwosesis manifakti avanse.
- Livrezon rapid
- Kalite asirans
- Sèvis Kliyan 24/7
Pwodwi Entwodiksyon
Apèsi sou pwodwi a
Nou<511>Silisyòm Wafers yo fèt pou aplikasyon espesyalize semi-conducteurs ki mande pwopriyete inik nan<511>oryantasyon kristal. Oryantasyon sa a ofri avantaj diferan nan aplikasyon espesifik elektwonik ak optik, bay pèfòmans amelyore ak presizyon. Nou ofri yon seri konplè opsyon personnalisation pou asire ke wafers nou yo satisfè espesifikasyon egzak ki nesesè pou pwosesis manifakti avanse.
Karakteristik kle
|
Crystal Oryantasyon |
<511>(apwopriye pou aplikasyon espesyalize elektwonik ak optik) |
|
Dyamèt ki disponib |
2 pous, 4 pous, 6 pous, 8 pous |
|
Kalite Klas |
Premye / Tès / Enbesil |
|
Metòd kwasans |
CZ (Czochralski) / FZ (Zòn Flote) |
|
Kalite dopant |
P-tip (Boron), N-tip (Fosfò, Asenik, Antimwàn) |
|
Opsyon epesè |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, ak epesè koutim ki disponib |
|
Tolerans epesè |
Creole ± 25 μm; High-Precision ± 5 μm |
|
Ranje rezistivite |
0.001 a 100 ohm-cm |
|
Fini andigman |
P/E (poli/grave), P/P (poli/poli), E/E (grave/grave) |
|
Varyasyon epesè total (TTV) |
Creole < 10 μm; Avanse < 5 μm |
|
Banza/Deformation |
Creole < 40 μm; Avanse < 20 μm |
Baj popilè: 511 Silisyòm wafers, Lachin 511 Silisyòm wafers manifaktirè yo, ke founisè, faktori
