Solè-Silisyòm Ingot Optimize

Solè-Silisyòm Ingot Optimize

Solè-Optimised Silicon Ingot fèt pou enstalasyon ki bay priyorite "Total-Pri--Ownership (TCO)" optimize. Lè nou rekonèt ke "Divèjans Rezistivite" ak "Estrès Lasi Entèn" yo se prensipal katalis pou pèt sede, lengote sa yo grandi lè l sèvi avèk yon pwopriyetè.Sub-Inifòmite Dopan Atomikpwotokòl. Metòd avanse sa a asire ke molekil fosfò oswa bor yo entegre nan matris kristal la ak devyasyon radial pre -zewo. Rezilta a se yon ingot akLasi-Netralizasyon estrès, ki bay yon "Fondasyon Mekanik" ki estab pou gwo -diaman-sye fil. Rafineman estriktirèl sa a diminye siyifikativman inisyasyon mikwo-krak ak wafer-kouse, asire ke chak wafer pwodui montre gwo-fidelite.Transporteur-Rafineman Transpòbezwen depase 25.5% referans efikasite nan achitekti modèn N-tip.

Kondiktivite serye ak rezistivite inifòm:Teknoloji Solè -Optimisé nou an itilize siveyans chimik ki fonn-gen an 2026-gen reyèl-an tan reyèl pou elimine "Efè Segregasyon" soti nan kouwòn jiska ke. Sa a asire yon bann tolerans rezistans trè etwat, ki pèmèt enjenyè selil yo sèvi ak yon sèl resèt difizyon optimize pou yon kanpay pwodiksyon antye.

Siperyè pèfòmans koupe wafer:Espesyalman optimize pou 2026 pouse nan direksyon ultra-tranchman mens, lengote sa yo prezanteGayan Koupe Kinèmatik. Dansite kristal inifòm la asire yon rezistans koupe konsistan, diminye fil -kase ak bay wafers ak endistri-TTV dirijan (Total Epesè Varyasyon), dirèkteman pwoteje pousantaj net rekiperasyon etablisman ou a.

Ogmante pousantaj konvèsyon modil yo ak fyab nan jaden:Ki fèt pou mache mondyal Nivo-1, Solè-lengote Optimisé bay "Entegrite Elektwonik" ki nesesè pou selil TOPCon ak HJT yo. Rediksyon nan sant rekonbinasyon nivo-lasi yo asire rezistans eksepsyonèl nan Limyè-Degradasyon Enduit (LID), sekirize rannman enèji alontèm (EY) ki mande pa pwopriyetè aktif sèvis piblik yo.

Baj popilè: solè -optimize Silisyòm ingot, Lachin solè-optimize Silisyòm ingot manifaktirè, Swèd, faktori