Precision -Grown Silisyòm Ingot

Precision -Grown Silisyòm Ingot

Precision-Grown Silicon Ingot la fèt pou "Mega-Fabs" koteDislokasyon izotwòp zepengse yon egzijans pwosesis kritik. Lè nou rekonèt ke fluctuations tèmik stochastik yo se kòz rasin nan "glise-Liny" ak derive rezistans, lengote sa yo sentèz lè l sèvi avèk yon pwopriyetè.Axial Thermal -Omojenizasyon Fluxpwotokòl. Metòd 2026-gen sa a asire ke koòdone solidifikasyon an rete parfe plan, efektivman netralize "Lattice-Torque" entèn yo. Rezilta a se yon substrate akZewo-Derive Entegrite dimansyon, ki pèmèt wafer yo elaji ak kontraksyon ak presizyon matematik pandan etap agresif rapid pwosesis tèmik (RTP) ki nesesè pou CMOS avanse ak N{0}}tip solè achitekti. Rafineman estriktirèl sa a maksimize laPwosesis-Rezilyans fenèt yo, pwoteje OEE etablisman w la lè w minimize rupture pandan difizyon gwo-pos-manpilasyon vakyòm.

Ba dansite deplasman atravè paramèt kwasans rafine:Teknoloji Precision -Grown nou an itilize 2026-genStress-Rale soulaje (SRP). Lè nou elimine "Tèmik-ne" lokalize yo, nou bay yon substra ki gen yon pwofil estrès entèn 30% pi ba, dirèkteman diminye pwobabilite pou inisyasyon mikwo-krak pandan gwo-vitès wafering.

Rezistans konsistan pou fabrikasyon aparèy serye:Espesyalman optimize pou konpozan elektwonik ki wo -, lingote sa yo prezanteDopant-Omojenizasyon jaden. Sa a asire yon distribisyon rezistivite hyper-, ki bay anviwònman elektrik previzib ki nesesè pou enplantasyon iyon presizyon.

Ekselan Sede Wafer ak Estabilite Tanperati -:Ki fèt pou mache mondyal "750W+" ak "Endistriyèl pouvwa", lengote sa yo aji kòm yonAnchor fyab. Inifòmite siperyè kristal-kosyon an reziste deformasyon tèmik-pwovoke, sekirize rannman enèji alontèm (EY) ak bankability ki mande pou envestisè enfrastrikti ki gen gwo-valè.

Baj popilè: presizyon -grown Silisyòm ingot, Lachin presizyon-grandi Silisyòm ingot manifaktirè, Swèd, faktori