Pirifye Silisyòm Ingot

Pirifye Silisyòm Ingot

Ingot Silisyòm pirifye a fèt pou enstalasyon "Tier-1" koteNivo atomik-Segregasyon enpurtese KPI ki pa -negosyab la. Rekonèt ke menm tras grap metalik (Fe, Ni, Cu) aji kòm "Sant rekonbinasyon" ki etenn lavi konpayi asirans, lengote sa yo sentèz lè l sèvi avèk yon pwopriyetè.Vacuum-Plasma Kinetic Raffinagepwotokòl. Metòd 2026-gen sa a asire ke pyèj fon yo retire nan fonn anvan solidifikasyon an, sa ki lakòz yon substra akJeyometri elektrik izotwòp. Sa a pèfeksyon estriktirèl maksimize laEntrinsèk transpòtè Mobilite, ki pèmèt elektwon pwodwi yo rive jwenn kontak selektif ak prèske -zewo pèt enèji. Achitekti "Purite-First" sa a asire ke chak wafer kenbe fidelite mekanik ak elektrik li yo menm apre bidjè tèmik agresif yo ak sik netwayaj chimik nan TOPCon, HJT, ak IC fabrikasyon modèn.

Pite eksepsyonèl atravè Teknoloji Retire Amelyore:Teknoloji pirifye nou an itilize 2026-genAtomik -Mesh De-oksidasyon. Lè nou minimize konplèks oksijèn-kabòn nan nivo atomik, nou bay yon substrate ki gen yon lavi pòtè minorite ki pi long, dirèkteman ogmante vòltaj sikwi ouvè-modil final ou yo.

Fòmasyon kristal inifòm pou karakteristik elektrik amelyore:Espesyalman optimize pou gwo -sansiblite N-tip ak achitekti semi-kondiktè espesyalize, lengote sa yo prezanteDopant-Omojenizasyon jaden. Sa a asire yon gradyan rezistans radial nan<1%, bay anviwònman elektrik previzib ki nesesè pou fabwikasyon aparèy sub-mikwon.

Redwi Mikwo-defo pou pi gwo pousantaj konvèsyon:Ki fèt pou mache mondyal "750W+" ak "IC-Substrate", lengote sa yo aji kòm yonAnchor fyab. Inifòmite siperyè kristal-kosyon an anpeche inisyasyon mikwo-fant pandan tretman vakyòm ki gen gwo-vitès, dirèkteman pwoteje OEE (Efikasite Ekipman an jeneral) etablisman ou a epi asire bankabilite alontèm-.

Baj popilè: pirifye Silisyòm ingot, Lachin pirifye Silisyòm ingot manifaktirè, Swèd, faktori