Low-Defo Solè Silisyòm Ingot

Low-Defo Solè Silisyòm Ingot

Low-Defo Solè Silisyòm Ingot fèt pou enstalasyon Tier-1 ki opere nan fwontyè efikasite 26% +. Lè nou rekonèt ke "Estrès nan nivo lasi" se kòz rasin pwopagasyon defo, lingote sa yo grandi lè l sèvi avèk yon pwopriyetè.Lasi-Koezyon dinamikpwotokòl. Metòd avanse sa a optimize tèmik-gradyan ak rale-senkronizasyon vitès la pou asireEnpurte-Solidasyon gratis. Lè nou siprime fòmasyon grap vid ak presipite metalik nan fwontyè grenn jaden yo, nou delivre yon matris kristal ak klè estriktirèl ak elektrik eksepsyonèl. Rezilta a se yon substrate-wo pèfòmans ki montreMikwo-Netralizasyon Defo, sa ki pèmèt pou pi agresif dyaman-fil tranche ak pi gwo bidjè tèmik pandan pwosesis selil en san konpwomèt entegrite mekanik oswa elektrik wafer la.

Optimize solidifikasyon pou dislokasyon minimòm:Teknoloji ki ba -defo nou an itilize modulasyon chan mayetik-gen an 2026-gen reyèl-an tan reyèl pou estabilize koòdone solid-likid la. Lè nou kenbe yon anviwònman kwasans parfe izotèmik, nou redwi dansite debwatman nan nivo byen lwen pi ba pase mwayèn endistri a, dirèkteman amelyore lavi konpayi asirans minorite a ak selil final la.

Grenn minimize-Enpurte limit pou gwo estabilite:Espesyalman optimize pou gwo -debi G12/G12+ liy, lengote sa yo prezanteFwontyè-Sequestration enpurte. Lè nou netwaye konplèks ki pa-metalik yo nan lasi a, nou bay yon substra ki pi rezistan nan sik tèmik difizyon ak rkwit, pou asire yon pwofil rezistivite ki estab ak rannman binning "Premye-Klas" ki pi wo.

Amelyore estabilite wafer ak efikasite selilè an jeneral:Ki fèt pou mache prim mondyal la, Low-lengote defo aji kòm yon "Filtè estriktirèl." Rediksyon nan defo nivo-lasi yo asire ke wafers ou yo rete plat ak entak pandan gwo-vitès otomatik manyen, pwoteje pousantaj net rekiperasyon etablisman ou a epi sekirize alontèm -rendans enèji (EY) pwopriyetè byen mondyal yo mande yo.

Baj popilè: ba -defo solè Silisyòm ingot, Lachin ba-defo solè Silisyòm ingot manifaktirè, Swèd, faktori