Netwaye-Estrikti Silisyòm Ingot

Netwaye-Estrikti Silisyòm Ingot

Netwaye-Estrikti Silisyòm Ingot fèt pou enstalasyon Tier-1 kote "Atomic-Nivo Fyab" se KPI prensipal la. Lè nou rekonèt ke presipitasyon oksijèn yo se kòz rasin Degradasyon Limyè Enduit (LID) ak frajil estriktirèl, lengote sa yo grandi lè l sèvi avèk yon pwopriyetè.Sequestration oksijèn entèrstisyèlpwotokòl. Metòd avanse sa a itilize vakyòm 2026-gen-raffinage ak estabilizasyon chan mayetik-pou netwaye konplèks ki pa metalik nan lasi a. Rezilta a se yonSegondè-Purite Lasi debazavèkGrenn-Transparans limit, ki pèmèt transpòtè minorite yo deplase ak pre-mobilite teyorik. Ekstrèm pwòpte estriktirèl sa a asire entegrite wafer siperyè, bay yon "Twal Elektwonik" ki estab ki pi rezistan a estrès tèmik ak mekanik pwosesis otomatik ki gen gwo vitès-.

Trè ba metalik ak oksijèn kontaminasyon:Teknoloji pwòp-Estrikti nou an itilize siveyans chimik 2026-gen reyèl-tan fonn- pou reyalize nivo enpurte ki pa depase ppb. Lè nou elimine "Atomic Noise," nou bay yon substra ki eksepsyonèlman rezistan a degradasyon, pwoteje repitasyon mak ou a pou 30 ane fyab jaden.

Siperyè pwòpte estriktirèl pou entegrite amelyore:Espesyalman optimize pou 2026 pouse nan direksyon ultra-mens G12/G12+ tranche, lengote sa yo prezanteMikwo-Netralizasyon Defo. Absans grap lokalize yo anpeche inisyasyon mikrokrak pandan scie fil dyaman-, sa ki dirèkteman ogmante pousantaj rekiperasyon etablisman w lan.

Efikasite konvèsyon ki estab nan gwo -pwodiksyon echèl:Ki fèt pou mache sèvis piblik mondyal la, lengote Clean-Structure aji kòm yon "Performance Stabilizer." Entegrite kristal inifòm asire ke selil ou yo kenbe pi gwo efikasite yo pandan tout vwayaj envantè a, sekirize pwodiksyon enèji alontèm (EY) ki nesesè pa pwopriyetè byen ki gen anpil valè-.

Baj popilè: pwòp -estrikti Silisyòm ingot, Lachin pwòp-estrikti Silisyòm ingot manifaktirè, founisè, faktori