Silisyòm Wafer Inite

Silisyòm Wafer Inite

Inite Silisyòm klas -semi-conducteurs sa a ak anpil atansyon achitekti pou sèvi kòm yon substra entegrite segondè- pou fabrikasyon elektwonik sofistike. Sipòte spectre an dyamèt plen soti nan2-pous (50mm) a 12-pous (300mm), inite sa yo fonksyone kòm yon platfòm ki estab, ki wo -fidelite ki fèt pou kenbe koerans estriktirèl absoli pandan sik pwosesis entansif chimik ak tèmik.

Konpòtman sinetik ki konsistan:Chak inite fèt pouomojèn radial, asire konpòtman materyèl previzib pandan etap fabwikasyon temèt tankou plasma grave ak rapid tèmik annealing (RTA). Estrikti inifòm sa a minimize pwosesis derive, dirèkteman sipòte rezilta pwodiksyon ki estab, repete nanPouvwa IC (IGBT/MOSFET) ak RF-ICachitekti.

Optimizasyon liy otomatik:Espesyalman fèt pou gwo-debiliy fabrikasyon otomatik yo, inite a prezante pwofil kwen optimize ak sub-mikròn Varyasyon epesè total (TTV). Karakteristik jeyometrik sa yo asire manyen robotik san pwoblèm ak aspirasyon vakyòm, sa ki pèmèt yon entegrasyon "anfòm-ak-bliye" nan workflows modèn fondri yo.

Aliyman Kalite Endistriyèl:Bati pou satisfè ak depase atant mondyal kalite endistriyèl, materyèl la kenbe rezistans mekanik li anba vakyòm ekstrèm ak estrès tanperati ki wo -. Pite siperyè koòdone li fè li trè apwopriye pou sansibDetèktè MEMS ak konpozan lojik ki gen gwo -dansite, asire fyab alontèm-nan aplikasyon elektwonik ki pi egzijan yo.

Baj popilè: Silisyòm wafer inite, Lachin Silisyòm wafer inite manifaktirè, Swèd, faktori