Platfòm Silisyòm Wafer

Platfòm Silisyòm Wafer

Platfòm wafer Silisyòm sa yo byen achitekti pou bay yon sifas pwosesis eksepsyonèlman serye atravè tout la.2-pous a 12-pous (50mm - 300mm)dyamèt spectre. Enjenieri ak presizyon sifas nivo atomik-, substrats sa yo fonksyone kòm yon fondasyon segondè-fidelite pou moun ki pi egzijan yo.fotolitografi, grave sèk, ak depozisyon fim mens-sekans.

Avantaj teknik diferansye:

Omojeneite estriktirèl:Karakteristik materyèl yo optimizeOksijèn entèrstisyèl (Oi) ak kontni kabònkontwòl. Balans entèn sa a sipòte kondisyon fabwikasyon inifòm nan anpeche glise lasi ak presipitasyon tèmik pandan temèt segondè -recuit vakyòm ak pwosesis rapid tèmik (RTP).

Rezilyans tèmomekanik:Enjenieri pou kenbe pwopriyete ki estab anba chaj entans tèmik ak mekanik, materyèl la asire rezilta repete nanPouvwa IC (IGBT/MOSFET) ak RF-ICpwodiksyon. Estabilite sa a enpòtan anpil pou reyalizesub-mikròn Varyasyon epesè total (TTV)ak minimize derive konsantre nan liy fondri otomatik 300mm.

Endistriyèl -Fyab klas:Ki fèt pou satisfè ak depase estanda bon jan kalite teknik Nivo-1 mondyal la, fini sifas primitif la (avèk brutality nivo Angstrom) asire rezilta pwosesis ki konsistan, ki gen rapò dirèkteman ak yon ogmantasyon nanrannman wafer-nivo ak fyab aparèy.

Versatile aplikasyon:Kit yo itilize pou pwototip R&D espesyalize oswa pou gwo -volim endistriyèl-manifakti echèl, substrats sa yo bay yon solisyon materyèl serye, semi-conducteurs-esklizif. Oryantasyon presi kristal ak inifòmite dopan yo optimize pou moun ki pi sansibMEMS, lojik, ak pouvwa Semiconductoraplikasyon yo.

Baj popilè: Silisyòm wafer platfòm, Lachin Silisyòm wafer platfòm manifaktirè, Swèd, faktori