Silisyòm Wafer Chip

Silisyòm Wafer Chip

Substra wafer Silisyòm prim nou yo fèt ak anpil atansyon pou bay yon platfòm entegrite segondè -pou fabwikasyon chip sofistike. Sipòte tout dyamèt spectre de2-pous (50mm) a 12-pous (300mm), Wafers sa yo optimize pou maksimize rannman wafer-nivo pandan y ap kenbe pre-zewo dansite defo atravè zòn aktif la.

Avantaj pèfòmans debaz:

Entegrite elektrik konsistan:Enjenyè pou rezistans ki estab ak mobilite transpòtè, wafers nou yo asire pèfòmans elektrik repete, sa ki fè yo ideyal pou gwo -presizyon.Aparèy pouvwa, RF-IC, ak pòtay lojikpwodiksyon.

Jeni estriktirèl presizyon:Nivo atomik -plateite sifas ak varyasyon total epesè (TTV) optimize amelyore fyab aparèy, asire yon anfòm pafè pou litografi avanse ak pwosesis lyezon.

Évolutivité pwodiksyon:Kit pou R&D espesyalize pwototip (2"-4") oswa gwo -volim endistriyèl-manifakti echèl (8"-12"), nou bay bon jan kalite konsistan, semi-conducteurs ki satisfè estanda Nivo 1 mondyal yo.

Baj popilè: Silisyòm wafer chip, Lachin Silisyòm wafer chip manifaktirè, Swèd, faktori