Silisyòm epitaksi substrats

Silisyòm epitaksi substrats

Substra epitaksi Silisyòm sa yo se metikulmanfèt pou kwasans kouch epitaksyal, k ap sèvi kòm modèl kristal ki gen gwo-pite pou entegrasyon avanse pouvwa ak aparèy lojik. Achitekti ak presizyon Czochralski (CZ) rale ak ultra-sekans polisaj pwòp, substrats nou yo asire yon anviwònman sifas san konpwomi. Lis nivo atomik-sa a se egzijans fondamantal pou reyalize depozisyon omoepitaxial ak heteroepitaxial bon kalite nan pwochen jenerasyon semi-conducteurs.

Sifas Optimize pou Depo{0} bon jan kalite:Lasifas kontwole ak oryantasyon kristalyo optimize pou bay yon anviwònman nikleyasyon ideyal. Pa estrikteman gouvène laOff -koupe Ang(mozoryantasyon) ak presizyon milidegre, nou fasilite yon etap -mekanis kwasans koule. Sa a minimize dezakò nan lasi ak anpeche fòmasyon nan fay anpile ak dislokasyon threading, ki se esansyèl pou estabilize karakteristik elektrik yo nan kouch epi-ki vin apre a.

Kontwole rezistivite pou izolasyon aparèy:Espesyalman Enjenieri pou Power IC ak aplikasyon analòg, substrats sa yo ofripwopriyete materyèl ki estabak yon pwofil dopan ki trè inifòm. Sa a pèmèt pou kontwole egzak sou substra-a-koòdone epi, amelyore izolasyon aparèy la ak diminye kapasite parazit nan gwo -frekans ak segondè- anviwònman vòltaj.

Segondè -Rezilyans tèmik pite:Chak substra dirije pa tolerans rijid pou oksijèn entèrstisyèl ak enpurte metalik pou anpeche oto-dopaj ak deformation tèmik pwovoke. Fòs siperyè mekanik li yosipòte etap pwosesis miltip ak varyasyon minim, kenbe fidelite jeyometrik pandan tan -tanperati CVD (Depo chimik vapè) ak sik pwosesis rapid tèmik (RTP).

Baj popilè: Silisyòm epitaksi substrats, Lachin Silisyòm epitaksi substrats manifaktirè, Swèd, faktori