IC Grade Silisyòm Wafers

IC Grade Silisyòm Wafers

Deskripsyon pwodwi:

Wafers Silisyòm klas IC-sa yo seespesyalman pwepare pou pwodiksyon sikwi entegre, ki sèvi kòm gwo -pite kolòn vètebral kristalin pou endistri mikwoelektwonik mondyal la. Enjenieri atravè rale Czochralski (CZ) avanse ak siveyans jaden -tan reyèl tèmik-, substrats nou yo asire yon nivo pèfeksyon lasi san konpwomi. Yokontwòl dimansyon egzak ak pwopriyete elektrik konsistan fè yo ideyal pou gwo -manifakti IC., kote chak nanomèt varyasyon ka gen enpak sou distribisyon ak pouvwa karakteristik milya de tranzistò.

Omojeneite elektrik detèminist:Lè yo kenbe yon gradyan rezistivite radial entèdi ak distribisyon inifòm dopan, wafers sa yo fasilite vòltaj papòt previzib atravè tout zòn aktif la. Konsistans elektrik sa a enpòtan anpil pou gwo-dansiteLojik, memwa, ak sistèm-sou-chip (SoC)achitekti yo, asire ke distribisyon deformation ak kouran flit rete nan limit konsepsyon ki pi sere.

Entegrite siperyè ak jeyometrik:Konfòme ak estanda ki pi sevè SEMI yo, IC-galèt klas nou yo gen sub-mikwon.Varyasyon epesè total (TTV)ak atomik-echèl sifas brutality . Fidelite jeyometrik sa a bay yon Pwofondè-de-Konsantre (DOF) ki estab pou fotolitografi DUV/EUV segondè-NA (Ouvèti Nimerik), sa ki pèmèt repwodiksyon konsistan nan estrikti pòtay byen-liy ak entèrkonèksyon milti-kouch konplèks.

Ba-Achitekti defo pou gwo rannman:Chak wafer optimisé pouGate Oksid Entegrite (GOI)pa minimize Crystal Originated Pits (COPs) ak enpurte metalik. Dansite ki ba -defo sa a efektivman redwi "bri etaj la" ak kouran nwa nan sikui analòg sansib pandan y ap anpeche bonè -pann dielectric lavi, dirèkteman tradui nan pi wo wafer-nivo rannman (WLY) pou liy fab avanse.

Baj popilè: ic klas Silisyòm wafers, Lachin ic klas Silisyòm gauf manifaktirè, Swèd, faktori