Silisyòm wafer trè dope
Wafers Silisyòm ki trè dope nou yo fèt pou aplikasyon ki mande pou rezistans ba ak konduktiviti elektrik amelyore. Lè yo entwodwi yon gwo konsantrasyon nan eleman dopant tankou Bor (P-kalite) oswa Fosfò (N-kalite), wafers sa yo reyalize siyifikativman redwi rezistans, fè yo ideyal pou eleman avanse elektwonik, aparèy pouvwa, ak sikui pèfòmans-wo.
- Livrezon rapid
- Kalite asirans
- Sèvis Kliyan 24/7
Pwodwi Entwodiksyon
Apèsi sou pwodwi a
Wafers Silisyòm ki trè dope nou yo fèt pou aplikasyon ki mande pou rezistans ba ak konduktiviti elektrik amelyore. Lè yo entwodwi yon gwo konsantrasyon nan eleman dopant tankou Bor (P-kalite) oswa Fosfò (N-kalite), wafers sa yo reyalize siyifikativman redwi rezistans, fè yo ideyal pou eleman avanse elektwonik, aparèy pouvwa, ak sikui pèfòmans-wo.
Karakteristik kle
|
Ba rezistivite |
Wafers trè dope nou yo ofri rezistivite ki ba anpil, tou depann de konsantrasyon dopan an, tipikman sòti nan {{0}}.001 ohm-cm a 0.1 ohm-cm pou aplikasyon P-tip ak N-tip. |
|
Kalite dopant |
• P-type: Bor (pou transpòtè chaj pozitif) • N-tip: Fosfò, Asenik, Antimwàn (pou pòtè chaj negatif) |
|
Crystal Oryantasyon |
<100>, <111>, <110>(oryantasyon koutim ki disponib) |
|
Dyamèt ki disponib |
2 pous, 4 pous, 6 pous, 8 pous, 12 pous |
|
Kalite Klas |
Premye / Tès / Enbesil |
|
Metòd kwasans |
CZ (Czochralski) / FZ (Zòn Flote) |
|
Opsyon epesè |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, ak epesè koutim ki disponib |
|
Fini andigman |
P/E (poli/grave), P/P (poli/poli), E/E (grave/grave) |
|
Varyasyon epesè total (TTV) |
Creole < 10 μm; Avanse < 5 μm |
|
Banza/Deformation |
Creole < 40 μm; Avanse < 20 μm |
Baj popilè: trè dope Silisyòm wafer, Lachin trè dope Silisyòm wafer manifaktirè, Swèd, faktori
