Customize Silisyòm wafer
Customize Silisyòm Wafers nou yo pwepare pou satisfè egzijans inik plizyè aplikasyon semi-conducteurs. Avèk opsyon pèsonalizasyon konplè ki disponib pou oryantasyon kristal, dyamèt, epesè, ak rezistans, wafers sa yo bay gwo presizyon ak pèfòmans pou bezwen manifakti avanse.
- Livrezon rapid
- Kalite asirans
- Sèvis Kliyan 24/7
Pwodwi Entwodiksyon
Apèsi sou pwodwi a
Customize Silisyòm Wafers nou yo pwepare pou satisfè egzijans inik plizyè aplikasyon semi-conducteurs. Avèk opsyon pèsonalizasyon konplè ki disponib pou oryantasyon kristal, dyamèt, epesè, ak rezistans, wafers sa yo bay gwo presizyon ak pèfòmans pou bezwen manifakti avanse.
Karakteristik kle
|
Crystal Oryantasyon |
<100>, <111>, <110>, oswa oryantasyon koutim |
|
Dyamèt ki disponib |
2 pous, 3 pous, 4 pous, 5 pous, 6 pous, 8 pous, 12 pous (gwosè koutim ki disponib) |
|
Kalite Klas |
Premye / Tès / Enbesil |
|
Metòd kwasans |
CZ (Czochralski) / FZ (Zòn Flote) |
|
Kalite dopant |
P-tip (Bore), N-tip (Fosfò, Asenik, Antimwàn) |
|
Opsyon epesè |
275 μm, 380 μm, 525 μm, 625 μm, 775 μm, 925 μm, ak epesè koutim ki disponib |
|
Tolerans epesè |
Creole ± 25 μm; High-Precision ± 5 μm |
|
Ranje rezistivite |
0.001 a 100 ohm-cm |
|
Fini andigman |
P/E (poli/grave), P/P (poli/poli), E/E (grave/grave), G/G (tè/tè) |
|
Varyasyon epesè total (TTV) |
Creole < 10 μm; Avanse < 5 μm |
|
Banza/Deformation |
Creole < 40 μm; Avanse < 20 μm |
Baj popilè: Customize Silisyòm wafer, Lachin Customize Silisyòm wafer manifaktirè, Swèd, faktori
