12 pous Silisyòm wafer
Silisyòm Wafers 12-pous nou yo fèt pou satisfè egzijans sevè endistri semi-conducteurs jodi a. Avèk opsyon personnalisation fleksib ki disponib pou dyamèt, epesè, ak lòt espesifikasyon kle, wafers sa yo delivre eksepsyonèl presizyon ak fyab, pwepare a bezwen inik nan chak kliyan.
- Livrezon rapid
- Kalite asirans
- Sèvis Kliyan 24/7
Pwodwi Entwodiksyon
Apèsi sou pwodwi a
Silisyòm Wafers 12-pous nou yo fèt pou satisfè egzijans sevè endistri semi-conducteurs jodi a. Avèk opsyon personnalisation fleksib ki disponib pou dyamèt, epesè, ak lòt espesifikasyon kle, wafers sa yo delivre eksepsyonèl presizyon ak fyab, pwepare a bezwen inik nan chak kliyan.
Karakteristik kle
|
Dyamèt |
12 pous |
|
Kalite Klas |
Premye / Tès / Enbesil |
|
Teknik kwasans |
CZ (Czochralski) / FZ (Zòn Flote) |
|
Crystal Oryantasyon |
<100>, <111>, <110>, <511>, <311> |
|
Kalite dopant |
P-tip (Bore), N-tip (Fosfò, Asenik, Antimwàn) |
|
Epesè ki disponib |
775 μm, 925 μm, ak plis personnalisation disponib |
|
Tolerans epesè |
Creole ± 25 μm; Kapasite presizyon jiska ± 5 μm |
|
Ranje rezistivite |
0.001 a 100 ohm-cm |
|
Sifas fini |
P/E (poli/grave), P/P (poli/poli), E/E (grave/grave), G/G (tè/tè) |
|
Varyasyon epesè total (TTV) |
Creole < 10 μm; Amelyore < 5 μm |
|
Banza/Deformation |
Creole < 40 μm; Amelyore < 20 μm |
Baj popilè: 12 pous Silisyòm wafer, Lachin 12 pous Silisyòm wafer manifaktirè, Swèd, faktori
