Ultra ki estab Silisyòm ingot

Ultra ki estab Silisyòm ingot

Ultra Stable Silicon Ingot la fèt pou "Mega-Fabs" koteTèmik-Isterèz elastikse yon pwoblèm pwosesis kritik. Lè nou rekonèt ke "Sant estrès tèmik" rezidyèl yo se motè prensipal yo nan wafer-beke pandan rkwit, lengote sa yo sentèz lè l sèvi avèk yon pwopriyetè.Lasi jewometrik memwapwotokòl. Metòd 2026-gen sa a itilize vakyòm-estabilize sik ralanti-fre ak mayetik-kouvèt chan an ajiste pou asire ke matris atomik la estriktire "net." Rezilta a se yon substrate akChalè izotwòp-Simetri ekspansyon, ki pèmèt wafers yo elaji ak kontra ak presizyon matematik pandan pwosesis rapid tèmik (RTP) etap ki nesesè pou kouch pasivasyon avanse. Rafineman estriktirèl sa a ogmante anpilPwosesis-Rezilyans fenèt yo, pwoteje OEE etablisman w la lè w minimize rupture pandan difizyon gwo-pos-manpilasyon vakyòm.

Ekselan andirans tèmik atravè atomik{0}} Estabilizasyon may:Teknoloji Ultra Stable nou an itilize 2026-genCTE (koyefisyan ekspansyon tèmik) Homogenization. Lè nou asire ke lyezon Silisyòm-Silisyòm yo pafètman peryodik, nou bay yon substra ki reziste "Lasi-Deformation" menm anba 1100 degre agresif + bidjè tèmik, pwoteje entegrite nan koòdone -ksid tinèl ou yo.

Deformation minimòm pou metalizasyon presizyon:Espesyalman optimisé pou enprime dwèt sub-10 μm, lengote sa yo aji kòm yonJeyometrik jeyometrik. Absans post-deformation tèmik asire yon konsantre ki estab-avyon pandan litografi oswa enprime ekran-, ki bay selil ak endistri-lidè.Faktè ranpli (FF)ak redwi lonbraj elektrik.

Siperyè-Estabilite Operasyonal alontèm:Ki fèt pou mache mondyal "35-Ane Byen", lengote sa yo bay yon gwo -fondasyon fidelite ki reziste Degradasyon Limyè ak Tanperati Otorize (LeTID). Sa asire ke modil ou yo kenbe efikasite nominal yo nan dezè ekstrèm oswa anviwònman twopikal, sekirize IRR alontèm-pou envestisè sèvis piblik yo.

Baj popilè: ultra ki estab Silisyòm ingot, Lachin ultra ki estab Silisyòm ingot manifaktirè, Swèd, faktori