Rafine pite Silisyòm blòk

Rafine pite Silisyòm blòk

Blòk Silisyòm Rafine Pite a fèt pou "Giga-Fabs" koteChaje-Entegrite konpayi asirans lanse KPI prensipal la. Lè nou rekonèt ke oksijèn entèrstisyèl ak grap metalik yo se kòz rasin "Carrier-Atensyon" ak degradasyon alontèm-, blòk sa yo sentèz lè l sèvi avèk yon pwopriyetè.Plizyè-Rafine Sinetikpwotokòl. Metòd 2026-gen sa a itilize vakyòm-degaze Plasma estabilize pou netwaye metal tranzisyon (Fe, Cu, Ni) nan nivo sub-ppt anvan devan solidifikasyon an. Rezilta a se yon substrate akKinematik rekonbinasyon optimize, efektivman netralize "Pyèj Nivo Fon-" ki tipikman deranje koule elèktron. Achitekti "pite rafine" sa a asire ke chak wafer kenbe liKonsistans topolojik elektrik, menm apre bidjè tèmik agresif yo ak sik netwayaj chimik nan TOPCon modèn ak gwo -fabwikasyon elektwonik vitès.

Minimize enpurte atravè rafine plizyè-etap:Teknoloji Rafine Pite nou an itilize 2026-genDegaze Nivo Atomik{0}. Lè nou redwi konplèks oksijèn ak kabòn nan nivo ki pi ba yo, nou bay yon substrate ki gen yon lavi pòtè minorite ki pi long, sa ki dirèkteman ogmante vòltaj sikwi ouvè-nan selil final ou yo.

Amelyore lavi konpayi asirans pou efikasite amelyore:Espesyalman optimize pou achitekti ki gen gwo -sansiblite N-, blòk sa yo prezanteEntèrstisyal Oksijèn Pinning. Sa asire ke konplèks Oksijèn-Bore pa ka fòme, dirèkteman pwoteje modil ou yo kont Limyè-Degradasyon Pwovoke (LID) epi asire pwodiksyon enèji ki estab sou 35 ane.

Plis Fyab pou Deplwaman De Sektè-:Ki fèt pou tou de PV "750W+" mache a ak pouvwa semi-conducteurs -sektè elektwonik la, blòk sa yo bay yon gwo -fondasyon fidelite ki reziste derive elektrik. Sa garanti aBankability mekanik ak elektrikEnvestisè enfrastrikti sèvis piblik-echèl yo mande yo ak manifaktirè aparèy presizyon yo.

Baj popilè: rafine pite Silisyòm blòk, Lachin rafine pite Silisyòm blòk manifaktirè, Swèd, faktori