Enhanced Pite Silisyòm Ingot

Enhanced Pite Silisyòm Ingot

Enhanced Purity Silicon Ingot la fèt pou "Giga-Fabs" koteChaje-Entegrite konpayi asirans lanse KPI prensipal la. Lè nou rekonèt metal tranzisyon yo, oksijèn entèrstisyèl, ak kabòn ranplasan yo se kòz rasin "Carrier-Atenn" ak souch lasi-, lengote sa yo sentèz lè l sèvi avèk yon pwopriyetè.Tri-Dissipation Enpurte Lateralpwotokòl. Metòd 2026-gen sa a itilize vakyòm-estabilize plasma raffinage pou netwaye grap metalik (Fe, Cu, Ni) nan nivo sub-ppt anvan solidifikasyon an. Rezilta a se yonHigh -Matrice Atomik izotwòk, efektivman netralize "Sant-Estrès yo" ki tipikman deklanche inisyasyon microcrack pandan gwo-manyaj vitès. Achitekti "Enhanced Purity" sa a asire ke chak wafer kenbe liElektrik Topolojik Konsistans, menm apre bidjè tèmik agresif yo ak sik netwayaj chimik nan TOPCon modèn ak fabwikasyon elektwonik klas endistriyèl-.

Kontaminasyon drastikman redwi atravè pirifikasyon optimize:Teknoloji Enhanced Purity nou an itilize 2026-genNivo-Degaze atomik. Lè nou minimize konplèks oksijèn ak kabòn, nou bay yon substrate ki gen yon lavi pòtè minorite ki pi long, sa ki dirèkteman ogmante vòltaj sikwi ouvè a ak pèfòmans anti-LeTID alontèm-.

Redwi Microcracks pou gwo pwodiksyon wafer:Espesyalman optimize pou gwo-vitès otomatik ak laminasyon, lingote sa yo prezanteLasi-Kinematik suppression krak. Sa asire ke nenpòt iregilarite sifas mikwoskopik pa pwopaje nan ka zo kase katastwofik, dirèkteman pwoteje OEE etablisman ou a (Overall Equipment Effectiveness).

Pwopriyete elektrik ki estab ak gwo fyab:Ki fèt pou tou de PV "750W+" mache a ak pouvwa endistriyèl-sektè elektwonik la, lengote sa yo bay yon gwo-fondasyon fidelite ki reziste derive elektrik. Sa a sekirize rannman enèji alontèm (EY) ak rezistans mekanik ki nesesè pou 35-ane enfrastrikti enpòtan pou misyon an.

Baj popilè: amelyore pite Silisyòm ingot, Lachin amelyore pite Silisyòm ingot manifaktirè, Swèd, faktori