Ki jan yo chwazi Silisyòm Wafers pou depozisyon fim mens

Ki jan yo chwazi Silisyòm Wafers pou depozisyon fim mens

Silisyòm wafers yo lajman itilize kòm substrats nan depo fim mens, ki gen ladan PVD, CVD, sputtering, evaporasyon, ALD ak lòt pwosesis kouch.

 

Pou achtè, w ap chwazi wafer Silisyòm dwat la se pa sèlman sou dyamèt. Fini sifas, oryantasyon, epesè, rezistivite ak kalite wafer ka tout afekte rezilta depo a ak pwosesis tès la.

 

Gid sa a eksplike espesifikasyon kle yo dwe konsidere lè w ap chwazi yon wafer Silisyòm pou depozisyon fim mens.

 

1. Dyamèt wafer Dyamèt wafer Silisyòm komen yo enkli:

- 2 pous

- 3 pous

- 4 pous

- 6 pous

- 8 pous

 

Pou laboratwa inivèsite ak pwojè R&D, 2 pous, 4 pous ak 6 pous wafers yo souvan mande. Pou tès pwosesis oswa ekipman -ki gen rapò, gwosè obligatwa a anjeneral depann de konpatibilite zouti a.

 

Anvan achte, achtè yo ta dwe konfime gwosè wafer yo aksepte pa ekipman depo yo.

 

2. Kalite wafer: Premye, Tès oswa egare Diferan pwojè ka mande diferan klas wafer.

| Kalite wafer|Itilizasyon tipik |

|----------------|-----------------|

| Premye wafer|Eksperyans ki pi wo kondisyon oswa devlopman pwosesis |

| Tès wafer|Tès jeneral, kouri esè ak chèk pwosesis |

| enbesil wafer|Tès ekipman, pratik manyen ak itilizasyon pwosesis ki pa-kritik |

 

Si yo itilize wafer la sèlman pou tès ekipman oswa ajisteman pwosesis, wafers enbesil oswa wafer tès yo ka ase. Si yo pral itilize fim nan depoze pou analiz detaye elektrik, optik oswa materyèl, premye wafers yo ka pi pito.

 

3. Fini sifas: SSP oswa DSP polisaj sifas se yon lòt faktè enpòtan.

| Kalite|Siyifikasyon|Itilizasyon tipik |

|--------|-------------|----------------|

| SSP|Single Side Poli|Yon bò poli pou depozisyon |

| DSP|Double Side poli|Tou de bò poli, itil lè tou de sifas enpòtan |

 

Pou anpil pwosesis depo fim mens, silisyòm SSP yo ase paske fim nan depoze sou yon bò. Sepandan, silisyòm DSP ka bezwen pou aplikasyon optik, MEMS oswa doub-bò pwosesis.

4. Crystal Oryantasyon

Oryantasyon wafer Silisyòm komen yo enkli:

- `<100>` - `<111>`

Bon oryantasyon an depann de pwosesis la ak aplikasyon an.

 

Pou egzanp, MEMS, konpòtman grave, pwopriyete sifas ak estrikti aparèy ka mande pou yon oryantasyon espesifik. Si achtè a pa sèten, li pi bon pou tcheke egzijans pwosesis la anvan kòmande.

 

5. Rezistivite ak Kalite Dopaj

Silisyòm wafers yo ka P-tip oswa N-tip, ak diferan ranje rezistans.

 

Opsyon komen yo enkli:

- P-kalite silisyòm wafer

- N-tip Silisyòm wafer

- Wafer Silisyòm ki ba rezistans

- Wafer Silisyòm ki wo rezistans

 

Pou tès kouch senp, rezistans ka pa trè kritik. Men, pou tès elektrik, aplikasyon RF oswa devlopman aparèy semi-conducteurs, rezistivite kapab yon spesifikasyon enpòtan.

 

6. epesè ak TTV

 

Epesè wafer ta dwe matche ak ekipman yo ak kondisyon manyen.

 

Achtè yo ka bezwen konsidere tou:

- Epesè

- TTV

- Bow

- Defòme

- Brutalizasyon sifas yo

 

Pou jeneral R & D, epesè estanda ka akseptab. Pou devlopman pwosesis presizyon, espesifikasyon pi sere ka mande.

 

7. oksid kouch egzijans

 

Gen kèk aplikasyon ki bezwen silisyòm wafers ak yon kouch oksid tèmik.

 

Yon wafer oksid tèmik Silisyòm ka itilize lè pwojè a mande:

- Kouch izolasyon

- Izolasyon sifas yo

- Tès fim mens

- Devlopman pwosesis MEMS

- Tès konpatibilite materyèl

 

Anvan kòmande gaufre oksid, achtè yo ta dwe konfime epesè oksid ki nesesè yo.

 

Konklizyon

 

Chwazi yon wafer Silisyòm pou depozisyon fim mens depann sou pwosesis la, ekipman ak objektif tès final la. Dyamèt, fini sifas, oryantasyon, rezistivite, epesè ak kouch oksid ta dwe tout dwe konsidere anvan ou achte.